Процесс проявления фоторезиста заключается в растворении и удалении ненужных участков фоторезиста с поверхности пластины, после чего на пластине образуется защитный рельеф — фоторезистивная маска требуемой конфигурации. Основными способами проявления являются: погружение пластины в раствор проявителя и распыление проявителя на вращающуюся пластину. Проявление погружением, не смотря на простоту способа, не обеспечивает полного удаления фоторезиста в случаях, когда необходимо воспроизвести элементы размером несколько единиц микрон и меньше. Для таких задач более эффективным является метод распыления проявителя на специальной установке-центрифуге.
Установка проявления фоторезиста Yotec ASC-200D
Размер пластин: до 200 мм
Скорость вращения: до 10 000 об/мин
Кол-во линий подачи: до 4 шт.